English version of this page
На главную страницу
Официальный сайт кафедры Математической теории интеллектуальных систем и лабораторий Проблем теоретической кибернетики и Математичеких проблем искусственного интеллекта механико-математического факультета МГУ им. М. В. Ломоносова
На первую страницу сервера Новости Кафедра Сотрудники Учеба Наука Исследования Журнал Культура Канал кафедры МаТИС в Телеграм
 Информация Развернутая информация о кафедре Математической теории интеллектуальных систем
 Граф кафедры Граф кафедры Математической теории интеллектуальных систем и Лаборатории ПТК
 В.Б. Кудрявцев Заведующий кафедрой МаТИС, академик, д.ф.-м.н. Кудрявцев Валерий Борисович
 Лаборатория Лаборатория проблем теоретической кибернетики механико-математического факультета
 Выпускники В этом разделе можно получить информацию о выпускниках и для выпускников кафедры

Samsung Electronics приглашает аспирантов на летнюю стажировку в исследовательских центрах компании в Южной Корее

Samsung Electronics Co., Ltd. – лидер в области высоких технологий – приглашает аспирантов ведущих  вузов страны (технических и физико-математических специальностей) на летнюю стажировку в исследовательских центрах компании в Южной Корее. Период стажировки составляет 1 месяц (июль-август 2008 года). Участнику стажировки оформляется виза, оплачивается перелет между странами, предоставляется жилье, а также выплачивается заработная плата.

Во время стажировки участник имеет возможность познакомиться с культурой Южной Кореи и со спецификой деятельности Исследовательских центров компании Samsung Electronics. Во время стажировки и работы над представленным проектом эксперты компании оценивают профессиональные знания участника и по окончании стажировки успешным кандидатам может быть предложена работа в исследовательском центре компании Samsung Electronics в Южной Корее или России (сроком на 1 -2 года).


Особый интерес представляют специалисты следующих направлений:

- Полупроводниковая физика, полупроводниковые устройства, схемотехника, системотехника (Semiconductors, Memory Design: DRAM, SRAM, High-Speed SRAM, Low-Power SRAM, Flash Memory (NOR / NAND), New Memory (FRAM, PRAM); Memory Process: Oxidation, Photoresist, Photolithography, Etching, Ion Implantation, Thin Film; Analog and Digital Circuit Design, System LSI Design, Flash Device Driver, Block-Device Driver for Memory Cards (MMC / SD), WBI and Test Program, Circuit Modeling, Quality Assurance, Transistor, Capacitor, Dielectric, Device Isolation, Yield Enhancement, Metrology)

- Электроника, радиотехника, связь (ASIC Design / Layout / Process Automation Development, Integrated Circuits, Field Programmable Gate Arrays [FPGA], System-on-Chip Design [SoC], Chip Test Hardware Platform, FAE, High-Speed Board Development, HW / SW Co-Design, Hardware Engineering, Wireless USB Design, CMOS Image Sensor, SoC Integration and Verification Design, Digital TV (DTV), Set-Top Box SoC, Media Processor Design, Security IP, Computer Architecture, Mobile Processors (especially, ARM Processor))

- Кибернетика, управление, механика (Algorithms, System Programming, Computer-Aided Design [CAD], Computer-Aided Engineering [CAE], Device Driver; ARM, Intel, Motorola, TI DSP, Starcore DSP [RTL, C] HDL Design, PVR)

- Математика, информатика, цифровая обработка сигналов, программирование (Real-Time Operational Systems [RTOS], C/C++, Linux, Digital Signal Processing [DSP], Embedded Software, Embedded Platforms, Security, Image Signal Processing, System Software, Multimedia systems, SW for Camera Applications, Color Tuning Tool Development for Mobile Camera, New and/or Emerging Technology Evaluation)


Требования к кандидатам:

Обучение аспирантуре (вуза или института РАН) по одному из указанных выше направлений
Знание английского языка
Возможность предоставить справку из отдела аспирантуры и докторантуры (вуза или института РАН)


Для подачи заявки необходимо составить на АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ развернутое резюме (личные данные, образование, опыт работы) и направить его по адресу: Career@samsung.ru с темой письма “Internship Resume”.

   © 2001- г. Кафедра Математической теории интеллектуальных систем, лаборатория ПТК, лаборатория МПИИ Написать вебмастеру   
Последние новости - в телеграм-канале кафедры МаТИС: Канал кафедры МаТИС в Телеграм Rambler's Top100 Рейтинг@Mail.ru